Qualcomm va colabora cu Samsung pentru a crea Snapdragon 835

Qualcomm și Samsung vor lucra împreună pentru a produce următoarea generație de procesoare Snapdragon.

Pe parcursul ultimilor ani, Samsung a devenit un concurent din ce în ce mai important pentru Qualcomm, în condițiile în care compania americană domina în mod clar piața semiconductorilor la un moment dat. De ceva timp, însă, cele două au început să colaboreze, iar parteneriatul va continua și în perioada care urmează, astfel încât ele vor produce următoare generație de procesoare: Snapdragon 835.

După cum probabil știți deja, Samsung și Qualcomm au mai colaborat în cazul modelelor Snapdragon 820 și Snapdragon 821, ambele construite pe baza tehnologiei pe 14 nanometri. În cazul Snapdragon 835, de cealaltă parte, va fi folosit procesul de fabricare pe 10 nanometri FinFET, care a început să fie adoptat în luna octombrie a acestui an.

Modificările implementate în cazul acestui permit creșterea vitezei procesoarelor cu până la 27%, iar dimensiunile reduse ale dispozitivelor le permit producătorilor de telefoane mobile să includă baterii cu dimensiuni mai mari sau să opteze pentru design-uri mai subțiri.

”Suntem fericiți să continuăm colaborarea cu Samsung pentru a crea produse de vârf în industria dispozitivelor mobile. Folosirea noului proces de fabricare pe 10 nanometri va permite procesorului Snapdragon 835 să consume mult mai puțină energie și să ofere performanțe mult mai bune, iar noi vom putea include un număr de elemente care vor putea îmbunătăți experiențele celor care vor folosi viitoarele terminale”, a declarat Keith Kressin, vice-președinte în cadrul Qualcomm, conform celor de la Android Central.

Primul telefon care ar putea beneficia de noul procesor Snapdragon 835 ar putea fi OnePlus 3T. Acesta ar include 6GB RAM în toate versiunile dispozitivului. De asemenea, prețul vehiculat este 480 de dolari, cu 80 de dolari mai mult decât valoarea la care se comercializează la această oră OnePlus 3. Lista de specificații ar urma să fie completată de o memorie internă de 128GB. Partea de captură va fi asigurată de un senzor Sony IMX398 de 16 megapixeli, în timp ce acumulatorul ar putea avea o capacitate de 3.300mAh.